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碳化硅反應(yīng)燒結(jié)爐

碳化硅反應(yīng)燒結(jié)爐是專門用于制備反應(yīng)燒結(jié)碳化硅（RB-SiC）的高端熱處理設(shè)備，通過硅熔滲（Silicon Infiltration）工藝，將多孔碳化硅素坯與熔融硅在高溫下反應(yīng)，形成高致密、高性能的SiC-Si復(fù)合材料。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空航天等領(lǐng)域。

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產(chǎn)品介紹

碳化硅反應(yīng)燒結(jié)爐是專門用于制備反應(yīng)燒結(jié)碳化硅（RB-SiC）的高端熱處理設(shè)備，通過硅熔滲（Silicon Infiltration）工藝，將多孔碳化硅素坯與熔融硅在高溫下反應(yīng)，形成高致密、高性能的SiC-Si復(fù)合材料。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空航天等領(lǐng)域。

參數(shù)指標參數(shù)指標單位/型號		實驗型	生產(chǎn)型
參數(shù)指標參數(shù)指標單位/型號		NTG-SJL-50W	NTG-SJL-90W	NTG-SJL-120W	NTG-SJL-165W	NTG-SJL-210W	NTG-SJL-276W
有效尺寸	mm	300×300×600	400×400×800	500×500×1200	600×600×1600	600×600×2000	750×750×2000 可定制更大尺寸
加熱方式	/	石墨電阻
高溫區(qū)容積	L	54	128	300	576	720	1125
裝載量	g	*裝料區(qū)容積產(chǎn)品密度（裝料容積可根據(jù)用戶需求定制）**
功率	KW	50	90	120	165	210	276
極限真空度	pa	冷態(tài) 5pa(真空度可根據(jù)客戶需求定制)
工作溫度	℃	1500℃	1500℃	1500℃	1500℃	1500℃	1500℃
最高溫度	℃	1600℃	1600℃	1600℃	1600℃	1600℃	1600℃
恒溫區(qū)溫差	℃	±5℃	±5℃	±7℃	±7℃	±10℃	±10℃
爐內(nèi)工作環(huán)境	/	真空狀態(tài)或Ar.N2氣氛保護（微正壓）